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台积电将处于5纳米芯片的过程中。5 nm的定义是什么?

最近,晶圆冶炼厂的领导者台积电表示,计划投资250亿美元用于5纳米节点技术。
制造的节点也将是采用EUV技术的第二个TSMC工艺节点。
5 nm TSMC应用的主要目的是谁?
为了了解5 nm的主要应用对象,您首先需要了解5 nm的定义是什么?
5nm的定义是什么?
从事实中寻找真相,目前关于5纳米定义的内容仍然具有吸引力。
这是因为名称方法和进程节点的定义仍然不明确。
显示三星14nm LPP TSMC 16nmFF +三星14nm FinFET TSMC 20nm,因为制造商在16nm / 14nm规格中的定义仍然不同。
在10nm和7nm处可能发生相同的情况,但是5nm节点名称可能是无关紧要的。
根据摩尔定律,交换每个节点是将晶体管的尺寸减小到其原始零点。
7次或0次
这几乎与将晶体管密度加倍8倍相同。
然后,在5纳米处,需要更有前途的晶体管形状,芯片制造商希望遵循摩尔定律所定义的传统晶体管尺度。
用于确定5 nm节点规范的方法是参考Intel 14 nm工艺规范并将其扩展为零。
7或0
方法的8倍
根据英特尔的说法,英特尔的下一代晶体管结构是一个纳米线FET,它是一个门被门包围的finFET。
英特尔纳米线FET有时被称为环形FET,并由国际工艺路线图的ITRS定义为5纳米工艺技术。
谁是TSMC 5 nm应用的主要目的?
根据英特尔的报告,似乎5纳米是乐观的,或者正在发信号通知过程图中采用了新的晶体管结构。
但是在5纳米处,许多技术挑战带来了人们无法预测的高成本。
此外,图案曝光技术对5nm节点是一个挑战,对于5nm工艺,使用EUV技术(紫外光刻)的成本较低。
在5纳米的竞争中,台积电不希望落后,但计划投资250亿美元用于5纳米节点技术,并宣布将在2019年上半年开始进行风险测试,并专注于此。适用于手机和高性能计算机芯片。
与没有EUV的7nm工艺的第一版相比,5nm节点密度标称为1。
能耗仅降低20%,速度提高约15%,超低阈值电压(ELTV)技术可提高25%。台积电不提供ELTV技术的详细信息。
毕竟,加州理工学院的CarverMead教授将摩尔定律编入摩尔的预测理论已有40年了。近年来,晶体管的尺寸越来越小,芯片制造的难度逐渐增大,而摩尔定律的失败引起了人们的关注。
但事情已经结束,事情有了一个开始。半导体技术最终将找到难以克服的障碍。届时,新技术节点将永远不会再出现。
尽管有巨大的人才和财力支持,以及新材料,新工艺和新结构的出现,半导体工艺遇到了许多无法看到的困难,否则,5 nm具有一定的成本优势你必须发生性行为,达到5纳米是没有意义的。


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